搭配了全新的介質損耗裝置與GDAT系列q表搭配使用

BD916介質損耗測試裝置技術特性 

平板電容器： 極片尺寸：Φ50mm/Φ38mm 可選  
1.極片間距可調范圍：≥15mm 
2. 夾具插頭間距：25mm±0.01mm 
3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 （1MHz） 
4．測微桿分辨率：0.001mm

介電常數介質損耗試驗儀滿足標準：GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長在內）下電容率和介質損耗因數的推薦方法
一、介電常數介質損耗試驗儀概述

GDAT高頻 Q 表作為一代的通用、多用途、多量程的阻抗測試儀器，測試頻率上限達到目前高的160MHz。   

  主要技術特性  
A Q 值測量范圍  2 ～ 1023 ，  B 量程分檔： 30 、 100 、 300 、 1000 ，自動換檔或手動換檔     C 固有誤差  ≤ 5 ％ ± 滿度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤6％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）     D 工作誤差  ≤7％ ±     E  滿度值的2％ （ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤8％ ±     F  滿度值的2％（10MHz～160MHz）    

G  電感測量范圍  4.5nH ～ 140mH              H 電容直接測量范圍  1 ～ 200pF        I  主電容調節范圍  18 ～ 220pF  J 主電容調節準確度  100pF 以下 ± 1pF ； 100pF 以上 ± 1 ％       K 信號源頻率覆蓋范圍  100kHz ～ 160MHz        L 頻率分段 （ 虛擬 ）  100 ～ 999.999kHz ， 1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz ， 100 ～ 160MHz                  M 頻率指示誤差  3 × 10 -5 ± 1 個字 

 
電感：
 
線圈號    測試頻率    Q值    分布電容p       電感值  
  9         100KHz      98       9.4           25mH
  8         400KHz     138       11.4        4.87mH
  7         400KHz    202       16           0.99mH
  6           1MHz     196       13          252μH
  5           2MHz     198       8.7        49.8μH
  4         4.5MHz    231       7             10μH 
  3          12MHz      193     6.9         2.49μH
  2          12MHz      229     6.4        0.508μH             
  1   25MHz，50MHz   233，211    0.9       0.125μH