絕緣介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo)：

2.1 tanδ和ε性能：

2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz～120MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。

2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍：

tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50

2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度（1MHz）：

tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%

工作頻率范圍：50kHz～50MHz    四位數(shù)顯，壓控振蕩器

Q值測(cè)量范圍：1～1000三位數(shù)顯，±1Q分辨率

可調(diào)電容范圍：40～500 pF  ΔC±3pF

電容測(cè)量誤差：±1%±1pF

Q表殘余電感值：約20nH

絕緣介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀測(cè)介電常數(shù)

調(diào)節(jié)平板電容器測(cè)微桿，使二極片相接為止，讀取刻度值記為DO。

再松開(kāi)二極片，把被測(cè)樣品插入二極片之間，調(diào)節(jié)平板電容器，到二極片夾住樣品止（注意調(diào)節(jié)時(shí)要用測(cè)微桿，以免夾得過(guò)緊或過(guò)松），這時(shí)能讀取新的刻度值，記為D1，這時(shí)樣品厚度D2= D1－D0。

選鈕8順時(shí)針擰到頭。

開(kāi)機(jī)，按5號(hào)鍵或6號(hào)鍵選擇電感；按照提示，通過(guò)選鈕7調(diào)節(jié)通道。

按1號(hào)鍵（自動(dòng)）搜索頻率，Q達(dá)到zui大，自動(dòng)鎖定頻率。

（如Q比較小，再次按1號(hào)鍵搜索頻率；還可以通過(guò)3，4號(hào)鍵手動(dòng)調(diào)節(jié)頻率找到*諧振頻率）

取出平板電容器中的樣品（切記不要調(diào)節(jié)頻率），這時(shí)Q表又失諧，調(diào)節(jié)平板電容器，使再諧振（只調(diào)節(jié)平板電容，不調(diào)節(jié)頻率，Q再次達(dá)到zui大），讀取測(cè)微桿上的讀值D3，其變化值為D4= D3－D0。

被測(cè)樣品的介電常數(shù)：Σ＝D₂ / D₄

主要特點(diǎn)：空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹(shù)脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹(shù)脂大約是3, 由于樹(shù)脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會(huì)造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測(cè)量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測(cè)值偏低,。 

電感器：

按測(cè)試頻率要求，需要配置不同量的電感器。

例如：在1MHz測(cè)試頻率時(shí)，要配250μH電感器，在50MHz測(cè)試頻率時(shí)，要配0.1μH電感器等。

特點(diǎn)： 

◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù)，使測(cè)Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。

◎ 能對(duì)固體絕緣材料在10kHz～120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。

◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH，保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。

◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測(cè)試頻率，調(diào)諧狀態(tài)等。

◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。

◎ DPLL合成發(fā)生1kHz～60MHz, 50kHz～160MHz測(cè)試信號(hào)。獨(dú)立信號(hào)   源輸出口，所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。

◎ 測(cè)試裝置符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。